8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20165WHR3 MRF8P20165WHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
20
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
10
30 40 6050
0
60
50
40
ACPR
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 3 d B = 3 9 W
ηD
PARC
ACPR (dBc)
-- 4 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 3 0
-- 2 5
-- 3 5
17.5
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16.5
16
15.5
15
14.5
Gps
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
VDD
=28Vdc,IDQA
= 550 mA, VGSB
=1.3Vdc
f = 1960 MHz, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
-- 1 d B = 1 7 W
-- 2 d B = 2 8 W
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
12
18
0
60
1930 MHz
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16
10 100 200
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
15
14
13
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
VDD=28Vdc,IDQA
= 550 mA, VGSB
=1.3Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth
1930 MHz
Input Signal PAR = 9.9 dB
@ 0.01% Probability on
CCDF
1995 MHz
1960 MHz
1960 MHz
1995 MHz
1930 MHz
1995 MHz
1960 MHz
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 10. 2--Carrier W--CDMA Power Gain, IM3, IM5, IM7
versus Output Power
12
18
-- 7 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
IM3, IM5, IM7 (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16
10 200100
-- 6 0
15
14
13
Figure 11. Broadband Frequency Response
0
18
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQA
= 550 mA
VGSB
=1.3Vdc
12
9
6
GAIN (dB)
15
3
1800 1835 1870 1905 1940 1975 2010 2045 2080
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--U
IM7--L
Gps
Input Signal PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on
CCDF
VDD=28Vdc,IDQA
= 550 mA, VGSB
= 1.3 Vdc, f1 = 1945 MHz
f2 = 1975 MHz, 2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF8P23080HSR3
FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4
MRF8P9040GNR1
IC MOSFET RF N-CHAN TO-270
MRF8P9300HSR6
FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
MRF8S18120HR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780
MRF8S18260HSR6
MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8
MRF8S19140HSR3
FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS
MRF8S19260HSR6
FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8
MRF8S21120HSR3
FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS
相关代理商/技术参数
MRF8P20165WHSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P23080HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P23080HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P23080HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET V8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P23080HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P23160WHR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHz 160W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P23160WHR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHz 160W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P23160WHSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHz 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray